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Mmbz5234btw_r1_00001 Oberflächenberg Silicon Zener Panjit International Inc.

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Spezifikationen
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu finden.

,

Oberflächenberg Silizium Zener

,

Panjit International Inc.

Kategorie:
Diode-ZenerZener-Diodenarrays für diskrete Halbleiterprodukte
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 4 V
Spannung - Zener (Name):
6.2 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Reihe:
-
Impedanz (Max) (Zzt):
7 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Mfr:
Panjit International Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ausstattung:
3 Unabhängig
Toleranz:
± 5%
Basisproduktnummer:
Die Nummer des Zulassungsdatums ist:
Kategorie:
Diode-ZenerZener-Diodenarrays für diskrete Halbleiterprodukte
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 4 V
Spannung - Zener (Name):
6.2 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Reihe:
-
Impedanz (Max) (Zzt):
7 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Mfr:
Panjit International Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ausstattung:
3 Unabhängig
Toleranz:
± 5%
Basisproduktnummer:
Die Nummer des Zulassungsdatums ist:
Beschreibung
Mmbz5234btw_r1_00001 Oberflächenberg Silicon Zener Panjit International Inc.

Zener Diodenarray 3 Unabhängige 6,2 V 200 mW ± 5% SOT-363

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