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AZ23C3V6-HE3_A-08 Vishay Allgemeine Halbleiterdioden-Abteilung

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Spezifikationen
Hervorheben:

Zulassung für die Verwendung in der Luftfahrt

,

Vishay General Semiconductor

,

Diodenabteilung

Kategorie:
Diode-ZenerZener-Diodenarrays für diskrete Halbleiterprodukte
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1 V
Spannung - Zener (Name):
3.6 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Fahrzeugindustrie, AEC-Q101, AZ23
Impedanz (Max) (Zzt):
90 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Ausstattung:
1 Paar gemeinsame Anode
Toleranz:
± 5%
Kategorie:
Diode-ZenerZener-Diodenarrays für diskrete Halbleiterprodukte
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1 V
Spannung - Zener (Name):
3.6 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Fahrzeugindustrie, AEC-Q101, AZ23
Impedanz (Max) (Zzt):
90 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Ausstattung:
1 Paar gemeinsame Anode
Toleranz:
± 5%
Beschreibung
AZ23C3V6-HE3_A-08 Vishay Allgemeine Halbleiterdioden-Abteilung

Zener-Diodenarray 1 Paar Gemeinsame Anode 3,6 V 300 mW ± 5% SOT-23-3

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