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GSID150A120S3B1 Diskrete Halbleiterprodukte d3 Elektronische Komponenten

Einzelheiten zum Produkt

Zahlungs- und Versandbedingungen

Beschreibung: IGBT-Module 1200V 300A 940W D3

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Spezifikationen
Hervorheben:

GSID150A120S3B1

,

Getrennte Halbleiter-Produkte

,

d3 elektronische Komponenten

Kategorie:
Diskrete HalbleiterprodukteTransistorenIGBTsIGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
300 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Amp+TM
Packung / Gehäuse:
Modul D-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2V @ 15V, 150A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D3
Mfr:
SemiQ
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 150 °C
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
940 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Ausstattung:
2 Unabhängig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
GSID150
Kategorie:
Diskrete HalbleiterprodukteTransistorenIGBTsIGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
300 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Amp+TM
Packung / Gehäuse:
Modul D-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2V @ 15V, 150A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D3
Mfr:
SemiQ
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 150 °C
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
940 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Ausstattung:
2 Unabhängig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
GSID150
Beschreibung
GSID150A120S3B1 Diskrete Halbleiterprodukte d3 Elektronische Komponenten

IGBT-Modul 2 unabhängige 1200 V 300 A 940 W Fahrgestellmontage D3

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