VS-GT80DA120U Isolierte Tür Bipolartransistor Vishay Halbleiter

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Beschreibung: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

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Kategorie:	Diskrete HalbleiterprodukteTransistorenIGBTsIGBT-Module	Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	139 A
Produktstatus:	Aktiv	Typ der Montage:	Aufbau des Fahrgestells
Paket:	Schüttgut	Reihe:	HEXFRED®
Packung / Gehäuse:	SOT-227-4, miniBLOC	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.55V @ 15V, 80A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	1200 V	Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-227
Mfr:	Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung	Betriebstemperatur:	-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):	100 μA	IGBT-Typ:	Graben
Leistung - Max.:	658 W	Eingabe:	Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:	4.4 nF @ 25 V	Ausstattung:	Einzigartig
NTC-Thermistor:	Nein	Basisproduktnummer:	GT80

Kategorie:	Diskrete HalbleiterprodukteTransistorenIGBTsIGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	139 A
Produktstatus:	Aktiv
Typ der Montage:	Aufbau des Fahrgestells
Paket:	Schüttgut
Reihe:	HEXFRED®
Packung / Gehäuse:	SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.55V @ 15V, 80A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-227
Mfr:	Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:	-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):	100 μA
IGBT-Typ:	Graben
Leistung - Max.:	658 W
Eingabe:	Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:	4.4 nF @ 25 V
Ausstattung:	Einzigartig
NTC-Thermistor:	Nein
Basisproduktnummer:	GT80