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Neurotechnische Verfahren

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Spezifikationen
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
12 GHz
Paket:
Streifen
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
6V
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Mfr:
CEL
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
10,7 dB @ 2 GHz
Leistung - Max.:
200mw
Gewinn:
13dB
Packung / Gehäuse:
SC-82A, SOT-343
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
75 @ 30mA, 3V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
12 GHz
Paket:
Streifen
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
6V
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Mfr:
CEL
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
10,7 dB @ 2 GHz
Leistung - Max.:
200mw
Gewinn:
13dB
Packung / Gehäuse:
SC-82A, SOT-343
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
75 @ 30mA, 3V
Beschreibung
Neurotechnische Verfahren
HF-Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Oberflächenhalter

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