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Spezifikationen

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Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren	Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	65 mA
Produktstatus:	Veraltet	Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung	Häufigkeit - Übergang:	9GHz
Paket:	Streifen	Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	10 V	Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-23-3
Mfr:	CEL	Geräuschwerte (dB Typ @ f):	1.2 dB @ 1 GHz
Leistung - Max.:	200mw	Gewinn:	15 dB
Packung / Gehäuse:	Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:	Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	50 @ 20mA, 8V

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	65 mA
Produktstatus:	Veraltet
Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:	9GHz
Paket:	Streifen
Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	10 V
Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-23-3
Mfr:	CEL
Geräuschwerte (dB Typ @ f):	1.2 dB @ 1 GHz
Leistung - Max.:	200mw
Gewinn:	15 dB
Packung / Gehäuse:	Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	50 @ 20mA, 8V

Beschreibung

2SC3583-A

HF-Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Oberflächenhalter SOT-23-3

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