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Beschreibung: HF TRANS NPN 15V 1 GHz 8SOIC
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren |
Strom - Kollektor (Ic) (maximal): |
1.2A |
Produktstatus: |
Aktiv |
Transistortyp: |
NPN |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Häufigkeit - Übergang: |
1 GHz |
Paket: |
Schlauch |
Reihe: |
- |
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): |
15 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
8-SOIC-EP |
Mfr: |
Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Geräuschwerte (dB Typ @ f): |
3.3 dB @ 836MHz |
Leistung - Max.: |
6.4W |
Gewinn: |
110,6 dB |
Packung / Gehäuse: |
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) freiliegendes Pad |
Betriebstemperatur: |
150°C (TJ) |
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
100 @ 250 mA, 3 V |
Basisproduktnummer: |
MAX2601 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren |
Strom - Kollektor (Ic) (maximal): |
1.2A |
Produktstatus: |
Aktiv |
Transistortyp: |
NPN |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Häufigkeit - Übergang: |
1 GHz |
Paket: |
Schlauch |
Reihe: |
- |
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): |
15 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
8-SOIC-EP |
Mfr: |
Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Geräuschwerte (dB Typ @ f): |
3.3 dB @ 836MHz |
Leistung - Max.: |
6.4W |
Gewinn: |
110,6 dB |
Packung / Gehäuse: |
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) freiliegendes Pad |
Betriebstemperatur: |
150°C (TJ) |
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
100 @ 250 mA, 3 V |
Basisproduktnummer: |
MAX2601 |
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