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Beschreibung: BIPOLARER TRANSISTOR mit kleinem Signal

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Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren	Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	50 mA
Produktstatus:	Veraltet	Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung	Häufigkeit - Übergang:	15 GHz
Paket:	Schüttgut	Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	6V	Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-343F
Mfr:	Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die	Geräuschwerte (dB Typ @ f):	10,7 dB @ 2 GHz
Leistung - Max.:	205 mW	Gewinn:	16 dB
Packung / Gehäuse:	SOT-343F	Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	75 @ 20mA, 3V

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	50 mA
Produktstatus:	Veraltet
Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:	15 GHz
Paket:	Schüttgut
Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	6V
Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-343F
Mfr:	Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Geräuschwerte (dB Typ @ f):	10,7 dB @ 2 GHz
Leistung - Max.:	205 mW
Gewinn:	16 dB
Packung / Gehäuse:	SOT-343F
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	75 @ 20mA, 3V

Beschreibung

2SC5751-T2-A

HF-Transistor NPN 6V 50mA 15GHz 205mW Oberflächenaufbau SOT-343F

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