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Beschreibung: HF-TRANSISTOR, NPN

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Spezifikationen

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Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren	Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	80mA
Produktstatus:	Aktiv	Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung	Häufigkeit - Übergang:	8GHz
Paket:	Schüttgut	Reihe:	Automobilindustrie, AEC-Q101
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	12 V	Lieferanten-Gerätepaket:	PG-SOT23-3-4
Mfr:	Infineon Technologies	Geräuschwerte (dB Typ @ f):	1 dB ~ 1,6 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
Leistung - Max.:	580 mW	Gewinn:	15 dB
Packung / Gehäuse:	Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:	Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	70 @ 30mA, 8V

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	80mA
Produktstatus:	Aktiv
Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:	8GHz
Paket:	Schüttgut
Reihe:	Automobilindustrie, AEC-Q101
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	12 V
Lieferanten-Gerätepaket:	PG-SOT23-3-4
Mfr:	Infineon Technologies
Geräuschwerte (dB Typ @ f):	1 dB ~ 1,6 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
Leistung - Max.:	580 mW
Gewinn:	15 dB
Packung / Gehäuse:	Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	70 @ 30mA, 8V

Beschreibung

BF771E6765N

HF-Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Oberflächenaufbau PG-SOT23-3-4

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