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Spezifikationen

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Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren	Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	150 mA
Produktstatus:	Veraltet	Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung	Häufigkeit - Übergang:	6 GHz
Paket:	Streifen	Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	12 V	Lieferanten-Gerätepaket:	-
Mfr:	CEL	Geräuschwerte (dB Typ @ f):	3.5 dB @ 1 GHz
Leistung - Max.:	1.8W	Gewinn:	10 dB
Packung / Gehäuse:	TO-243AA	Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	50 @ 50mA, 5V

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	150 mA
Produktstatus:	Veraltet
Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:	6 GHz
Paket:	Streifen
Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	12 V
Lieferanten-Gerätepaket:	-
Mfr:	CEL
Geräuschwerte (dB Typ @ f):	3.5 dB @ 1 GHz
Leistung - Max.:	1.8W
Gewinn:	10 dB
Packung / Gehäuse:	TO-243AA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	50 @ 50mA, 5V

Beschreibung

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HF-Transistor NPN 12V 150mA 6GHz 1,8W Oberflächenhalter

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