IHW40N135R3

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Spezifikationen

Beschreibung

Spezifikationen

Hervorheben:

Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::	Na 100	Produktkategorie:	IGBT-Transistoren
Montage-Stil::	Durchs Loch	Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::	80 A
PD - Verlustleistung::	429 W	Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::	1350 V
Packung / Koffer::	TO-247-3	Höchstbetriebstemperatur::	+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::	20 V	Verpackung::	Schlauch
Konfiguration::	Einzigartig	Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::	2 V
Hersteller::	Infineon Technologies

Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::	Na 100
Produktkategorie:	IGBT-Transistoren
Montage-Stil::	Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::	80 A
PD - Verlustleistung::	429 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::	1350 V
Packung / Koffer::	TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::	+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::	20 V
Verpackung::	Schlauch
Konfiguration::	Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::	2 V
Hersteller::	Infineon Technologies

Beschreibung

IHW40N135R3

Die IHW40N135R3 von Infineon Technologies sind IGBT-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!

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