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IRGS8B60KPBF

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Spezifikationen
Hervorheben:
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
SMD/SMT
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
28 A
PD - Verlustleistung::
167 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
D-PAK-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,2 V
Hersteller::
Infineon Technologies
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
SMD/SMT
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
28 A
PD - Verlustleistung::
167 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
D-PAK-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,2 V
Hersteller::
Infineon Technologies
Beschreibung
IRGS8B60KPBF
Die IRGS8B60KPBF von Infineon Technologies sind IGBT-Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!

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